テクノロジー / 半導体・光通信

高速・低消費の光電融合次世代材料、TFLN(薄膜ニオブ酸リチウム)。村田製作所(6981)、日本ガイシ(5333)、アルバック(6728)、HyperLight、NANOLN
AIデータセンターの消費電力の壁を突破する鍵として、電気信号を超高速・低消費電力で光に変換する次世代材料「TFLN(薄膜ニオブ酸リチウム)」が脚光を浴びている。2026年6月18日、ハーバード大学発のスタートアップHyperLightがMediaTek主導で8,000万ドル(約124億円)のシリーズCを発表し、量産フェーズへの号砲を鳴らした。本稿では、シリコンフォトニクスやInPとの三つ巴の競争構造、中国がウエハー供給を握る地政学リスク、そして村田製作所・日本ガイシ・アルバックという日本勢とNANOLN(中国)の立ち位置を、シリコンバレーのVCの視点から「変調器の民主化」というキーワードで読み